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消息
碳化硅（SiC）衬底制备：用于亚埃级微粗糙度控制的先进化学机械抛光（CMP）策略
2026-05-28
引言：宽禁带功率半导体制造的晶格挑战 碳化硅 (SiC) 从根本上革新了电力电子领域，成为高压、高频、高阻功率半导体器件的理想衬底……
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消除50微米以下硅薄化过程中的亚表面损伤（SSD）以用于3D异质集成
2026-05-27
引言：3D硅堆叠的机械脆弱性 人工智能（AI）加速器、高性能计算（HPC）架构和紧凑型移动芯片组对高密度计算的持续追求，使得3D异构硅堆叠技术面临严峻的挑战……
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确保MEMS汽车传感器制造中氧化层厚度一致性：热法与PECVD薄膜对比
2026-05-26
引言：汽车微机电系统制造的严峻现实 汽车微机电系统（MEMS）——包括体微机械加速度计、陀螺仪、歧管绝对压力（MAP）传感器和高频射频开关等——面临着严峻的制造挑战。
查看详情 高压SiC MOSFET栅极介质和钝化层的热氧化层均匀性要求
2026-05-25
引言：下一代电力电子器件的可靠性瓶颈 向 800V 电动汽车 (EV) 动力系统、兆瓦级太阳能逆变器和高压固态断路器的系统性转变，使得碳化硅 (SCD) 成为电力电子器件的瓶颈……
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利用超平坦高纯度硅载体衬底优化GAA架构的多层光刻技术
2026-05-25
引言：GAA时代的微影挑战 从FinFET到环栅（GAA）纳米片结构的转变，代表了2nm以下半导体制造领域最根本的范式转变之一。通过将栅电极包裹在纳米片上……
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HBM4堆叠中晶圆翘曲的管理：载体TTV与薄膜机械应力的相互作用
2026-05-21
引言：HBM4的垂直扩展危机 对人工智能（AI）集群、高性能计算（HPC）和下一代图形处理器（GPU）的持续需求，已将高带宽内存（HBM）推向了一个新的领域……
查看详情 先进节点试验线优质晶圆回收中的金属污染控制（＜1E10 原子/cm²）
2026-05-20
引言：先进节点研发中的污染屏障 在开发7纳米以下和5纳米以下逻辑和存储器架构的先进半导体中试生产线中，与工艺认证、工具匹配和光刻基础相关的材料成本……
查看详情 背面加工创新：用于 3D TSV 和混合键合的 TTV 控制
2026-05-20
引言：亚微米几何精度时代 随着摩尔定律逼近其物理极限，半导体行业的重心已从单片二维微缩转向三维异构集成。高带宽等技术……
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向硅基氮化镓过渡：外延生长中的工程挑战
2026-05-18
引言：迈向下一代电力电子器件 随着硅在高频和高压应用中接近其理论材料极限，氮化镓 (GaN) 已成为现代电力电子器件的关键半导体材料……
查看详情 掌握热氧化工艺：在先进介电材料中实现亚纳米级氧化硅晶片的均匀性
2026-05-15
引言：现代纳米电子学的基础 在亚3nm节点和3D异质集成时代，介电层的质量已成为决定器件性能的最终关键因素。其中，热氧化仍然是……
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