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行业新闻
在硅光子共封装光学器件（CPO）平台上实现亚纳米波导相位相干性
2026-06-09
引言：下一代数据中心互连的扩展极限 人工智能集群、高性能计算节点和云数据中心的指数级增长，已将传统的可插拔光收发器推向了极限……
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减轻高剂量离子注入先进逻辑节点过程中金属污染和颗粒缺陷
2026-06-08
引言：7nm及以下工艺的纯度要求 随着半导体行业向7nm、5nm乃至3nm以下逻辑节点发展，晶体管对不可见缺陷的敏感性已达到一个关键的转折点。在这些先进的架构中……
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克服超高压硅晶闸管和功率整流器中的散热瓶颈
2026-06-05
引言：兆瓦级电力电子器件的热学特性 高压直流 (HVDC) 电网和重型工业电机驱动的电力传输需要能够阻断超过……电压的功率半导体开关。
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晶格取向对光学CMOS传感器刻蚀各向异性和量子效率的关键影响
2026-06-04
引言：下一代成像阵列的几何物理学 现代互补金属氧化物半导体（CMOS）图像传感器（CIS）的性能跟踪——为自动驾驶汽车激光雷达阵列、高分辨率医用内窥镜等应用提供支持……
查看详情 优化深反应离子刻蚀（DRIE）纵横比以用于下一代MEMS压力传感器
2026-06-04
引言：先进压力计量中的深蚀刻挑战 微机电系统 (MEMS) 压力传感器在汽车动力总成、航空航天高度计和工业流体网络中的应用，对结构强度提出了极高的要求……
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控制高频硅基氮化镓射频前端模块中的衬底串扰和插入损耗
2026-06-02
引言：高频射频前端的寄生效应 电信网络不断向毫米波（mmWave）频段扩展，为先进的 5G-Advanced 基础设施、卫星通信和下一代通信提供支持……
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边缘滚降（ERO）管理在最大化汽车功率分立器件可用芯片良率中的作用
2026-06-01
引言：汽车半导体晶圆边缘的经济性 汽车动力系统的快速电气化推动了对高可靠性汽车功率分立器件（特别是绝缘栅双极型半导体器件）前所未有的指数级需求……
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碳化硅（SiC）衬底制备：用于亚埃级微粗糙度控制的先进化学机械抛光（CMP）策略
2026-05-28
引言：宽禁带功率半导体制造的晶格挑战 碳化硅 (SiC) 从根本上革新了电力电子领域，成为高压、高频、高阻功率半导体器件的理想衬底……
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消除50微米以下硅薄化过程中的亚表面损伤（SSD）以用于3D异质集成
2026-05-27
引言：3D硅堆叠的机械脆弱性 人工智能（AI）加速器、高性能计算（HPC）架构和紧凑型移动芯片组对高密度计算的持续追求，使得3D异构硅堆叠技术面临严峻的挑战……
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确保MEMS汽车传感器制造中氧化层厚度一致性：热法与PECVD薄膜对比
2026-05-26
引言：汽车微机电系统制造的严峻现实 汽车微机电系统（MEMS）——包括体微机械加速度计、陀螺仪、歧管绝对压力（MAP）传感器和高频射频开关等——面临着严峻的制造挑战。
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