0102030405
行业新闻
高密度等离子体腔室预处理工艺中粒子捕获效率和气相缺陷抑制的优化
2026-07-09
引言：高密度等离子体工艺的微污染风险 在先进的7纳米以下和5纳米以下半导体制造工艺中，抑制前端工艺（FEOL）和后端工艺（BEOL）过程中的纳米级缺陷至关重要……
查看详情 
分析DUV/EUV光刻轨道中介质膜应力引起的焦平面偏差和纳米尺度对准畸变
2026-07-07
引言：薄膜引起的机械畸变对光刻工艺的挑战 在先进的7纳米以下和5纳米以下半导体制造节点中，图案放置误差的容差已缩小至单纳米尺度。随着深紫外（DU...）技术的发展，光刻工艺面临的挑战日益严峻。
查看详情 
抑制高温垂直扩散和外延生长炉中的热梯度滑移线和微孔成核
2026-07-06
引言：高温热处理的热机械应力 在先进的前端半导体制造工艺中，立式批式炉和单晶圆外延反应器仍然是高温操作不可或缺的设备……
查看详情 
降低高频射频和硅基氮化镓器件集成中的界面寄生电容和衬底串扰
2026-07-03
引言：高频异构集成的电磁障碍 在快速发展的5G Advanced、卫星通信和高频电力电子领域，氮化镓硅基（GaN-on-Si）技术已崭露头角……
查看详情 
表征纳米级化学机械抛光环中的浆料磨损均匀性和亚表面微划痕缺陷
2026-07-02
引言：先进7纳米以下半导体制造节点中平面化的摩擦学挑战 化学机械平面化（CMP）已从一种标准的表面整平技术发展成为复杂3D架构集成的主要驱动力……
查看详情 
评估反应离子刻蚀室预处理过程中等离子体鞘层不对称性和关键尺寸临界边缘排斥
2026-07-01
引言：边缘区刻蚀动力学的关键平衡 在先进的7nm以下和5nm以下半导体制造节点中，在300mm晶圆的整个半径范围内实现严格的关键尺寸（CD）均匀性是工艺面临的主要挑战……
查看详情 
防止超薄基板背面研磨和金属化过程中晶格断裂和晶体滑移
2026-06-30
引言：极薄工艺带来的机械脆弱性 在制造高密度先进封装、3D堆叠集成电路（IC）和功率半导体时，减小单晶硅衬底的厚度至关重要……
查看详情 稳定化学气相沉积设备认证中的射频等离子体阻抗和流体动力学特性
2026-06-29
引言：先进介电均匀性的动态特性 在高频半导体制造中，尤其是在射频 (RF) 功率器件、硅上氮化镓 (GaN) 微结构和高频通信滤波器等领域，化学……
查看详情 
评估双层钝化层中应力诱导微裂纹和移动离子迁移的阻碍作用
2026-06-26
引言：先进微电子技术的可靠性前沿 在高可靠性半导体应用中——例如汽车电力电子、高压互补金属氧化物半导体 (CMOS) 图像传感器和射频 (RF) 等——可靠性面临着严峻的挑战。
查看详情 
消除高真空阳极和熔融晶圆键合中的界面微孔和分层
2026-06-25
引言：气密界面完整性的必要性 在现代微机电系统 (MEMS)、谐振陀螺仪、光电物理封装和 3D 堆叠图像传感器的商业化过程中，晶圆级键合是至关重要的基础……
查看详情