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行业新闻
用于功率模块的超薄硅晶片的背面研磨应力消除和亚表面损伤控制
2026-08-13
在现代功率半导体制造中，对更高功率密度、更低热阻和更小导通电阻 RDS(on) 的需求，使得晶圆减薄成为一项至关重要的工艺步骤。对于先进的绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 而言，……
查看详情 半导体晶圆选择指南：利用FSM测试晶圆、模拟晶圆和氮化硅(SiN)晶圆优化晶圆厂效率
2026-08-12
在大批量半导体制造、精密微电子研发和设备校准中，如何在工艺稳定性和材料成本之间取得平衡始终是一个挑战。优质硅衬底对于最终器件制造至关重要……
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用于直接晶圆键合的双面抛光（DSP）硅晶圆的亚微米TTV和纳米形貌控制
2026-08-11
在先进半导体封装、3D异质集成和微机电系统（MEMS）制造领域，直接晶圆键合——包括室温熔融键合和氧化物-氧化物（SiO2-SiO2）键合——已成为一种重要的技术……
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测试级和模拟级硅晶圆如何降低设备生产线基线校准的研发资本支出
2026-08-07
在半导体制造和先进微电子研发领域，资本支出 (CapEx) 控制对于维持运营效率和盈利能力至关重要。设备安装、工艺基线调整和常规工具验证都需要消耗大量资金……
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硅晶体取向（vs. vs.）：对MEMS制造中湿法刻蚀轮廓的影响
2026-08-06
在微机电系统 (MEMS) 制造中，体微加工是用于制造三维微结构的基础工艺，这些微结构包括压力传感器膜片、微流体通道、光学反射镜和电容式加速度计。与干法加工不同……
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栅极氧化层测试中的热氧化层 (SiO2) 厚度均匀性和介电击穿
2026-08-05
在半导体器件制造中，二氧化硅 (SiO2) 介电层是金属-氧化物-半导体 (MOS) 场效应晶体管的基石，它起到栅极介电层、场隔离层和层间钝化层的作用。作为晶体管……
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高压集成电路用外延衬底与体相CZ晶片：性能、缺陷密度和击穿电压优化
2026-08-04
随着汽车电气化、工业自动化和智能电网电源管理的需求激增，半导体制造商正在扩大高压集成电路（HV-IC）和双极型CMOS-DMOS（BCD）智能功率技术的生产规模。
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单面抛光与双面抛光（SSP 与 DSP）晶圆的表面粗糙度、缺陷指标和应用匹配
2026-08-03
在半导体制造、微机电系统 (MEMS) 制造和先进封装中，选择最佳硅衬底是提高良率的关键。工程师面临的核心几何形状和表面光洁度决策之一是……
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高温退火晶圆与标准CZ晶圆：消除氧析出物，助力先进功率器件
2026-07-30
在现代电力电子领域——从电动汽车 (EV) 和智能电网到工业电机驱动——绝缘栅双极型晶体管 (IGBT)、可控硅整流器 (SCR) 和高压超结 MOSFET 等器件发挥着重要作用……
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