中国半导体硅片表面研磨和减薄供应商工厂
晶圆减薄工艺
晶圆减薄工艺主要包括以下步骤。
1
厚度测量
在研磨前后，均使用精密厚度测量设备来监测晶圆厚度。
2
晶圆保护
在减薄之前，需要用蓝色胶带或紫外线胶带保护晶圆表面或背面，以防止在减薄过程中受到损坏或污染。
3
晶圆研磨
在减薄工艺的初始阶段，我们首先使用粗金刚石砂轮对晶圆进行初步减薄。粗磨后，我们使用细金刚石砂轮进行二次加工。这样做是为了更好地控制晶圆厚度，并提高表面的平整度和光滑度。
4
清洁和检查
研磨后，晶圆经过彻底清洗，去除残留物、保护胶带等。我们检查了每一片晶圆，确保晶圆表面没有明显的损伤或缺陷。
以上是晶圆减薄的基本流程。需要注意的是，不同的晶圆材料和设计要求可能会导致具体工艺参数和步骤有所不同。
晶圆减薄工艺流程图
为什么选择FSM？
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产品种类丰富
无论您需要直拉法 (CZ) 和区熔法 (FZ) 硅片，还是氧化物和玻璃硅片，我们丰富的产品线旨在满足您的各种需求。
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我们以位于中国和日本的战略枢纽为全球客户提供服务，自豪地为超过 50 个国家的多元化客户群体提供服务。
FSM确实提供晶圆抛光解决方案。
可提供以下抛光服务：
- 晶圆直径：25毫米（1英寸）- 300毫米（12英寸）
- 单面抛光（SSP）
- 通过同时或“翻转”抛光技术（DSP）进行双面抛光
- 背面抛光
- 轻柔抛光——一种轻度抛光，可去除轻微的表面划痕或瑕疵。
- 对图案化晶圆基板和/或覆盖膜进行化学机械抛光 (CMP)
- 典型产量：≥95%
晶圆抛光服务适用于全新或回收的硅晶圆衬底。有关FSM晶圆回收服务解决方案的信息，请参阅本网站的“晶圆回收”部分。
请联系密克罗尼西亚联邦了解更多信息。
如果您对薄膜类型、厚度或成分有任何疑问，请随时联系我们。我们的专家团队将竭诚为您提供量身定制的解决方案。
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