8英寸200毫米SiO2二氧化硅晶片

核心亮点

· 200mm SiO2 晶片上均匀氧化。
· 针对CMOS和光子器件制造进行了优化。
· 缺陷密度低，绝缘性能高。
· 用于多层工艺的稳定氧化硅衬底。
· 通常在 2-4 周内发货。

技术规格
直径：8 英寸（200 毫米）
氧化层厚度：50–20000A
·氧化物类型：干/湿热氧化物
· 衬底：优质硅
·表面处理：双面抛光（DSP）可选
电阻率：按订单规定提供