8英寸氧化硅晶圆 - 来自中国供应商的高品质SiO2 | CMOS和MEMS应用可靠工厂
核心亮点
200mm SiO2 晶片表面均匀氧化。
针对CMOS和光子器件制造进行了优化。
缺陷密度低，绝缘性能高。
用于多层工艺的稳定氧化硅衬底。
通常在 2-4 周内发货。
技术规格
| 直径 | 8英寸（200毫米） |
|---|---|
| 氧化层厚度 | 50–20000A |
| 氧化物类型 | 干/湿热氧化物 |
| 基底 | 优质硅 |
| 表面 | 双面抛光（DSP）可选 |
| 电阻率 | 按订单指定 |
常见问题解答
干式热氧化和湿式热氧化有什么区别？
干式氧化可产生更致密、更高质量的介电氧化层，适用于薄栅极氧化层；而湿式氧化生长速度更快，是较厚掩蔽层或绝缘层的理想选择。
我可以为基板指定自定义电阻率范围吗？
是的，电阻率参数可以根据您项目的具体电气要求进行定制。
这些晶圆可以进行双面抛光（DSP）吗？
是的，DSP 是可选的，具体取决于您的处理需求，特别是对于需要双面抛光的光学和光子学应用。
可提供的氧化层厚度范围是多少？
我们可提供厚度从超薄 50 Å 到厚达 20,000 Å (2 µm) 的热氧化层，在 200 mm 表面上具有高度均匀性。
典型的交货时间表是怎样的？
标准定制生产订单通常在 2 至 4 周内发货，具体取决于目标氧化层厚度和基材规格。