8英寸氧化硅晶圆 - 来自中国供应商和工厂的高品质SiO2，适用于CMOS、光子学和MEMS集成
核心亮点
- 200mm SiO2 晶片表面均匀氧化。
- 针对CMOS和光子器件制造进行了优化。
- 缺陷密度低，绝缘性能高。
- 用于多层工艺的稳定氧化硅衬底。
- 通常在 2-4 周内发货。
技术规格
直径
8英寸（200毫米）
氧化层厚度
50–20000A
氧化物类型
干/湿热氧化物
基底
优质硅
表面
双面抛光（DSP）可选
电阻率
按订单指定
常见问题解答
问： 这片二氧化硅晶片的直径是多少？
晶圆的标准直径为 8 英寸（200 毫米）。
问： 你们提供的氧化层厚度范围是多少？
我们提供氧化层厚度从 50 到 20000A 的多种产品，采用优质硅作为衬底。
问： 有哪些类型的热氧化工艺？
我们提供干法和湿法热氧化工艺，以实现晶圆上的均匀氧化。
问： 这些晶圆适合用于CMOS制造吗？
是的，它们针对 CMOS 和光子器件制造进行了优化，为多层工艺提供了稳定的氧化硅衬底。
问： 我可以要求双面抛光吗？
是的，双面抛光（DSP）表面是可选的，可以在订购时指定。
问： 通常的运输周期是多久？
订单通常在 2 至 4 周内发货，电阻率值在下单时指定。