来自中国供应商的 8 英寸氧化硅晶圆 | 适用于 CMOS 和 MEMS 应用的高品质 SiO2 晶圆
核心亮点
- 200mm SiO2 晶片表面均匀氧化。
- 针对CMOS和光子器件制造进行了优化。
- 缺陷密度低，绝缘性能高。
- 用于多层工艺的稳定氧化硅衬底。
- 通常在 2-4 周内发货。
技术规格
| 直径 | 8英寸（200毫米） |
| 氧化层厚度 | 50–20000A |
| 氧化物类型 | 干/湿热氧化物 |
| 基底 | 优质硅 |
| 表面 | 双面抛光（DSP）可选 |
| 电阻率 | 按订单指定 |
常见问题解答
200mm SiO2 晶圆的标准交货周期是多久？
我们的标准发货周期通常为 2 至 4 周，具体取决于订单配置和数量。
我可以选择干式热氧化还是湿式热氧化？
是的，我们提供干法和湿法热氧化工艺。干法氧化适用于较薄、高质量的栅极氧化层，而湿法氧化则针对厚度达 20000A 的氧化层进行了优化。
这些晶圆适用于CMOS和光子学应用吗？
没错。均匀的氧化层、低缺陷密度和优异的绝缘性能使它们成为先进CMOS和光子器件制造的理想材料。
这些基材是否支持双面抛光（DSP）工艺？
是的，我们提供双面抛光 (DSP) 选项。我们的标准基板采用优质硅片，确保多层工艺的高稳定性。
如何测定硅衬底的电阻率？
电阻率可根据订单要求指定，以匹配您的具体器件设计和应用要求。