来自中国供应商的8英寸氧化硅晶圆 - 适用于先进器件制造工厂的高品质SiO2晶圆
核心亮点
200mm SiO2 晶片表面均匀氧化。
针对CMOS和光子器件制造进行了优化。
缺陷密度低，绝缘性能高。
用于多层工艺的稳定氧化硅衬底。
通常在 2-4 周内发货。
技术规格
直径 8英寸（200毫米）
氧化层厚度 50–20000A
氧化物类型 干/湿热氧化物
基底 优质硅
表面 双面抛光（DSP）可选
电阻率 按订单指定
常见问题解答
问： 标准订单的交货周期是多久？
我们的标准发货时间通常为 2 至 4 周，具体取决于规格和订单量。
问： 干式热氧化和湿式热氧化有什么区别？
干式热氧化可形成高密度、高质量且具有优异电性能的氧化层，适用于薄栅极氧化层。湿式热氧化速度更快，是生长用于掩蔽或隔离的较厚氧化层的理想选择。
问： 我可以定制200mm晶圆的氧化层厚度吗？
是的，我们提供可定制的热氧化层厚度，范围从 50Å 到 20000Å，以满足您特定的器件制造需求。
问： 你们提供双面抛光（DSP）晶圆吗？
是的，双面抛光（DSP）硅基板是可选的，可以在订单配置期间指定。
问： 使用的是哪种等级的硅衬底？
我们严格使用优质硅衬底，以确保低缺陷密度、最佳平整度和优异的CMOS和光子工艺性能。
问： 如何测定晶圆电阻率？
硅衬底的电阻率是根据订单要求指定的，以确保其符合您的具体应用要求。