8英寸（200毫米）二氧化硅（SiO2）晶片 - 来自中国信誉良好的供应商和工厂的高品质产品
核心亮点
200mm SiO2 晶片表面均匀氧化。
针对CMOS和光子器件制造进行了优化。
缺陷密度低，绝缘性能高。
用于多层工艺的稳定氧化硅衬底。
通常在 2-4 周内发货。
技术规格
直径
8英寸（200毫米）
氧化层厚度
50–20000A
氧化物类型
干/湿热氧化物
基底
优质硅
表面
双面抛光（DSP）可选
电阻率
按订单指定
常见问题解答
问： 200mm SiO2 晶圆的典型交货周期是多久？
这些氧化硅衬底的标准发货时间通常为 2 至 4 周，具体取决于订单规格。
问： 你们提供哪些范围的氧化层厚度？
我们可提供从 50Å 到 20000Å 的热氧化层厚度，并可根据您的具体研究或生产要求进行定制。
问： 干式热氧化和湿式热氧化有什么区别？
干式热氧化可形成高密度、高质量的氧化层，非常适合用于薄栅极氧化层。湿式热氧化生长速度更快，更适用于用于掩蔽或绝缘的较厚氧化层。
问： 这些晶圆适合用于CMOS器件制造吗？
是的，由于其缺陷密度低、绝缘性能高，它们专门针对 CMOS 和光子器件制造进行了优化。
问： 我可以订购双面抛光（DSP）晶圆吗？
是的，双面抛光 (DSP) 表面是可选的，可以在订购过程中指定，以满足您的多层工艺需求。