8英寸（200毫米）二氧化硅（SiO2）晶片 - 来自中国供应商和工厂的高品质产品，适用于先进应用
核心亮点
200mm SiO2 晶片表面均匀氧化。
针对CMOS和光子器件制造进行了优化。
缺陷密度低，绝缘性能高。
用于多层工艺的稳定氧化硅衬底。
通常在 2-4 周内发货。
技术规格
| 直径 | 8英寸（200毫米） |
| 氧化层厚度 | 50–20000Å |
| 氧化物类型 | 干/湿热氧化物 |
| 基底 | 优质硅 |
| 表面 | 双面抛光（DSP）可选 |
| 电阻率 | 按订单指定 |
常见问题解答
200mm SiO2晶片有哪些氧化物生长方法可供选择？
干式热氧化（适用于薄、高介电质量层）和湿式热氧化（适用于厚度达 20,000Å 的较厚氧化层生长）均可采用。
这些基材支持哪些表面处理选项？
晶圆采用优质硅片制造，可根据您的工艺要求配置单面抛光 (SSP) 或双面抛光 (DSP) 表面。
氧化硅衬底的主要应用有哪些？
它们广泛应用于CMOS集成、光子器件制造、MEMS制造，以及作为多层半导体结构中的高性能绝缘层。
是否可以定制基板电阻率值？
是的，基板电阻率可以根据您的订单要求进行完全定制和指定，以满足精确的电气参数要求。
标准发货周期是多久？
标准定制氧化订单通常在 2 至 4 周内发货，具体取决于目标氧化层厚度和规格。
如何控制 8 英寸晶圆的均匀性和缺陷密度？
晶圆经过严格的热氧化工艺控制，确保整个 200 毫米表面上的介电层厚度均匀，缺陷密度低，电击穿绝缘性高。