8英寸（200毫米）氧化硅晶圆 - 中国高品质晶圆供应商和工厂
核心亮点
200mm SiO2 晶片表面均匀氧化。
针对CMOS和光子器件制造进行了优化。
缺陷密度低，绝缘性能高。
用于多层工艺的稳定氧化硅衬底。
通常在 2-4 周内发货。
技术规格
| 直径 | 8英寸（200毫米） |
| 氧化层厚度 | 50–20000A |
| 氧化物类型 | 干/湿热氧化物 |
| 基底 | 优质硅 |
| 表面 | 双面抛光（DSP）可选 |
| 电阻率 | 按订单指定 |
常见问题解答 (FAQ)
1. 200mm SiO2 晶圆的典型交货周期是多久？
根据您订单的定制规格，我们的通常发货时间为 2 至 4 周。
2. 我可以选择干式热氧化或湿式热氧化吗？
是的，我们提供干法和湿法热氧化工艺，以满足您特定的器件制造要求。
3. 你们提供的氧化层厚度范围是多少？
我们支持定制氧化物厚度，范围从 50Å 的薄层到 20000Å 的厚层。
4. 是否提供双面抛光（DSP）选项？
是的，双面抛光（DSP）基板配置是可选的，可以在下订单时指定。
5. 用作基板的硅是什么等级的？
我们严格使用优质特级硅材料，以确保低缺陷密度和优异的绝缘性能。
6. 如何确定晶片的电阻率？
电阻率将根据您的需求进行定制，具体参数将在您的定制订单中确定和确认。