6英寸150毫米热氧化硅晶片

核心亮点

· 用于先进工艺应用的精密生长热氧化晶片。
· 优异的机械强度和氧化物附着力。
· 颗粒污染和表面粗糙度低。
· 适用于集成电路、微机电系统和传感器制造。
· 交货周期：大约 2 至 4 周。

技术规格
直径：6英寸（150毫米）
氧化层厚度：50–20000A
· 氧化物类型：干式或湿式热氧化
· 衬底：优质或测试级硅晶圆
·表面处理：镜面抛光，单面或双面
电阻率：可定制