0102030405
来自中国供应商的6英寸硅模拟晶圆 - 高品质工厂生产,适用于CMP和设备监控
核心亮点
生产验证的可靠性
专为大批量CMP和扩散炉工艺的耐用性而设计。
稳定的供应链
我们在中国和日本的双源生产模式确保了稳定可靠的供应。
针对制造进行了优化
在可预见的交货时间内交付,以确保您的生产计划按计划进行。
产量保护
在设备监控和工艺稳定方面发挥着至关重要的作用,直接有助于保持产量。
参数规格
| 生长方法 | 类型 | 掺杂剂 | 电阻率 | 轮状病毒 | 方向 | 切片方向 | 直径公差 | 主要公寓位置 | 主要扁平长度 | 厚度 | 台电视 | 经 | 弓 | 正面 | 背面 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 捷克 | 零件号 | 硼 | 0-100 Ω·CM | 12% | ±1° | 150±0.3毫米 | ±1° | 57.5±2.5毫米 | 675±25微米 | ≤30微米 | ≤30微米 | ≤30微米 | 抛光 | 蚀刻 |
常见问题解答
这些晶圆采用的是哪种生长方法?
这些晶圆采用直拉法(CZ)生长工艺制造,这是生产高质量单晶硅的标准技术。
这些晶圆通常用于哪些制造工艺?
它们专门针对化学机械抛光 (CMP) 和扩散炉工艺进行了优化,为设备监控和工艺稳定提供了必要的支持。
双源制造模式如何使我的供应链受益?
通过在中国和日本的工厂生产这些晶圆,我们降低了供应链风险,并确保了稳定、冗余的供应,以及高度可预测的交货周期。
其电气规格是什么,包括掺杂剂和电阻率?
这些晶圆是硼掺杂的 P/N 型,电阻率范围为 0-100 Ω·CM,径向电阻率变化 (RRV) 为 12%。
晶圆的物理尺寸和表面光洁度如何?
晶圆的标称直径为150±0.3毫米(6英寸),厚度为675±25微米,正面抛光,背面蚀刻。TTV、翘曲和弯曲的尺寸公差均保持在≤30微米以内。



