来自中国供应商的6英寸硅模拟晶圆——适用于CMP和设备监控的耐用工厂解决方案
核心亮点
- 生产验证的可靠性 专为大批量CMP和扩散炉工艺的耐用性而设计。
- 稳定的供应链 我们在中国和日本的双源生产模式确保了稳定可靠的供应。
- 针对制造进行了优化 在可预见的交货时间内交付，以确保您的生产计划按计划进行。
- 产量保护 在设备监控和工艺稳定方面发挥着至关重要的作用，直接有助于保持产量。
参数规格
| 生长方法 | 类型 | 掺杂剂 | 电阻率 | 轮状病毒 | 方向 | 切片方向 | 直径公差 | 主要公寓位置 | 主要扁平长度 | 厚度 | 台电视 | 经 | 弓 | 正面 | 背面 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 捷克 | 零件号 | 硼 | 0-100 Ω·CM | 12% | ±1° | 150±0.3毫米 | ±1° | 57.5±2.5毫米 | 675±25微米 | ≤30微米 | ≤30微米 | ≤30微米 | 抛光 | 蚀刻 |
常见问题解答
这些硅晶片的主要应用领域是什么？
这些硅片是专门为大批量化学机械抛光 (CMP) 和扩散炉工艺而设计的，具有经生产验证的可靠性。
如何保证这些晶圆的供应链稳定性？
我们利用位于中国和日本的生产基地的双源生产模式，维持稳定的供应链，确保持续供货。
这些晶圆采用的是什么生长方法和掺杂剂？
这些晶圆采用直拉法 (CZ) 生长工艺制造，并掺杂硼以实现 P/N 型电特性。
晶圆的物理尺寸和公差是多少？
晶圆直径为 150±0.3mm，厚度为 675±25um，主平面长度为 57.5±2.5mm。
正面和背面的表面规格是什么？
晶圆正面采用抛光处理，背面采用蚀刻处理，以满足标准加工要求。
这些晶圆的平整度参数（TTV、翘曲、弓形）是多少？
总厚度变化 (TTV)、翘曲和弯曲均受到严格控制，并规定在