6英寸（150毫米）热氧化硅晶片 - 来自中国供应商和工厂的高品质产品，适用于先进应用
核心亮点
用于先进工艺应用的精密生长热氧化晶片。
优异的机械强度和氧化物附着力。
颗粒物污染少，表面粗糙度低。
适用于集成电路、微机电系统和传感器制造。
交货周期：大约 2 至 4 周。
技术规格
直径
6英寸（150毫米）
氧化层厚度
50–20000A
氧化物类型
干式或湿式热氧化
基底
优质或测试级硅晶片
表面
镜面抛光，单面或双面
电阻率
可定制
常见问题解答 (FAQ)
什么是热氧化晶片？
热氧化晶片是一种硅晶片，其表面采用热氧化工艺生长有一层高纯度二氧化硅（SiO2）层，具有优异的机械强度和电隔离性能。
干式热氧化和湿式热氧化有什么区别？
干式氧化法使用纯氧来生长薄而高密度、高质量的氧化层。湿式氧化法使用水蒸气，可以更快地生长出较厚的氧化层，但密度略低。
氧化层厚度可以定制的范围是什么？
我们可提供从 50Å 到 20000Å（埃）的定制氧化层厚度，以满足特定的应用需求。
这些晶圆主要用于什么用途？
它们非常适合集成电路 (IC)、微机电系统 (MEMS)、传感器制造和其他高精度工艺应用。
订单的典型交货周期是多久？
标准交货周期约为 2 至 4 周，具体取决于订单的配置和数量。
我可以自定义硅衬底的电阻率吗？
是的，我们支持定制硅衬底（优质或测试级）的电阻率，以满足您特定的工艺需求。