来自中国可靠供应商的6英寸（150毫米）热氧化硅晶片 | 高品质工厂生产
核心亮点
用于先进工艺应用的精密生长热氧化晶片。
优异的机械强度和氧化物附着力。
颗粒物污染少，表面粗糙度低。
适用于集成电路、微机电系统和传感器制造。
交货周期：大约 2 至 4 周。
技术规格
直径 6英寸（150毫米）
氧化层厚度 50–20000A
氧化物类型 干式或湿式热氧化
基底 优质或测试级硅晶片
表面 镜面抛光，单面或双面
电阻率 可定制
常见问题解答
干式热氧化和湿式热氧化有什么区别？
干式热氧化法利用纯氧气生长出薄而致密的氧化层，这些氧化层具有优异的电性能。湿式热氧化法则利用水蒸气，因此生长速度更快，更适合制备较厚的氧化层。
这些晶圆可选的氧化层厚度有哪些？
我们支持从 50Å（埃）到 20,000Å 的各种氧化层厚度，可根据您的具体应用和工艺要求进行精确定制。
硅衬底的电阻率可以定制吗？
是的，Prime级和Test级硅衬底的电阻率均可完全定制，以满足您的半导体或MEMS设计的电气规格。
这些晶圆的典型应用有哪些？
这些精密热氧化晶片非常适合集成电路 (IC) 制造、微机电系统 (MEMS) 和传感器制造，可用作高质量的绝缘层或扩散掩模。
预计交货周期是多久？
我们6英寸热氧化硅晶片的标准交货周期约为2至4周，具体取决于所需的具体配置和批量大小。