来自中国供应商的6英寸（150毫米）热氧化硅晶片 - 高品质工厂制造的SiO₂晶片
核心亮点
-
用于先进工艺应用的精密生长热氧化晶片。
-
优异的机械强度和氧化物附着力。
-
颗粒物污染少，表面粗糙度低。
-
适用于集成电路、微机电系统和传感器制造。
-
交货周期：大约 2 至 4 周。
技术规格
直径
6英寸（150毫米）
氧化层厚度
50–20000Å
氧化物类型
干式或湿式热氧化
基底
优质或测试级硅晶片
表面
镜面抛光，单面或双面
电阻率
可定制
常见问题解答
热氧化晶片的直径有哪些规格？
标准直径尺寸为 6 英寸（150 毫米），采用优质 Prime 或 Test 级硅基板制造。
氧化层厚度可以定制哪些范围？
我们提供厚度范围为 50Å 至 20000Å 的热氧化层，采用干式或湿式热氧化工艺生长。
基板的电阻率可以定制吗？
是的，硅晶片衬底的电阻率可以完全定制，以满足您特定的电气和工艺要求。
这些晶圆的主要应用领域是什么？
这些晶圆具有颗粒污染少、机械强度高的特点，是集成电路、微机电系统和传感器制造的理想选择。
标准发货周期是多久？
精密生长热氧化物晶片的典型交货周期约为 2 至 4 周。