来自中国供应商的6英寸（150毫米）热氧化硅晶片 - 高品质工厂直销解决方案
核心亮点
- 用于先进工艺应用的精密生长热氧化晶片。
- 优异的机械强度和氧化物附着力。
- 颗粒物污染少，表面粗糙度低。
- 适用于集成电路、微机电系统和传感器制造。
- 交货周期：大约 2 至 4 周。
技术规格
直径
6英寸（150毫米）
氧化层厚度
50–20000A
氧化物类型
干式或湿式热氧化
基底
优质或测试级硅晶片
表面
镜面抛光，单面或双面
电阻率
可定制
常见问题解答
这些热氧化晶片的主要应用领域有哪些？
这些晶圆采用精密生长工艺，适用于先进的工艺应用，因此非常适合集成电路 (IC)、微机电系统 (MEMS) 和传感器制造。
你们提供哪些氧化层厚度和氧化类型的选项？
我们提供的氧化层厚度范围为 50 至 20000 微米。客户可根据自身技术要求选择干式或湿式热氧化工艺。
我可以自定义硅衬底的电阻率吗？
是的，我们优质或测试级硅晶圆基板的电阻率可完全定制，以满足您的特定项目需求。
6英寸晶圆有哪些表面处理工艺可供选择？
我们的晶圆采用镜面抛光表面处理，可配置为单面抛光或双面抛光。
订购这些晶圆的典型交货周期是多久？
预计生产和交付周期约为 2 至 4 周，确保低颗粒污染和高机械强度。