12英寸300毫米热氧化硅晶片

核心亮点

· 具有优异氧化层完整性的大直径SiO2晶片。
· 非常适合大批量半导体和光子器件生产。
· 厚度公差严格，表面极其光滑。
· 适用于先进多层结构的可靠二氧化硅晶圆。
· 通常在 2-4 周内发货。

技术规格
直径：12 英寸（300 毫米）
氧化层厚度：50–20000A
· 氧化物类型：热氧化（干/湿）
·衬底：优质硅，CZ 或 FZ
表面：超平整，双面抛光
电阻率：可按需提供