12英寸（300毫米）热氧化硅晶片 - 来自中国供应商和工厂的可靠货源
核心亮点
- 具有优异氧化层完整性的大直径二氧化硅晶片。
- 非常适合大批量半导体和光子器件生产。
- 厚度公差严格，表面极其光滑。
- 适用于先进多层结构的可靠二氧化硅晶圆。
- 通常在 2-4 周内发货。
技术规格
直径 12英寸（300毫米）
氧化层厚度 50–20000A
氧化物类型 热氧化（干/湿）
基底 优质硅，CZ 或 FZ
表面 超平整，双面抛光
电阻率 可应要求提供
常见问题解答
12英寸SiO2晶圆的标准交货周期是多久？
我们的 12 英寸 SiO2 晶圆通常在订单确认后的 2 至 4 周内发货。
你们提供的氧化层厚度范围是多少？
我们支持从 50A 到 20000A 的各种氧化层厚度，以满足不同的应用需求。
采用的是哪种类型的氧化工艺？
我们采用高质量的热氧化工艺，可根据您的具体要求提供干式氧化和湿式氧化。
这些晶圆的衬底规格是什么？
晶圆采用优质硅衬底制成，衬底采用直拉法 (CZ) 或浮区法 (FZ) 生长。
这些晶片两面都抛光了吗？
是的，这些晶圆具有超平整的双面抛光表面，可确保多层结构的最佳性能。
是否可以订购特定电阻率数据？
是的，我们可以根据客户需求提供定制电阻率的基板选项。请联系我们详细说明您的要求。