12英寸（300毫米）热氧化硅晶片 | 中国高品质半导体制造供应商及工厂
核心亮点
- 具有优异氧化层完整性的大直径二氧化硅晶片。
- 非常适合大批量半导体和光子器件生产。
- 厚度公差严格，表面极其光滑。
- 适用于先进多层结构的可靠二氧化硅晶圆。
- 通常在 2-4 周内发货。
技术规格
直径
12英寸（300毫米）
氧化层厚度
50–20000A
氧化物类型
热氧化（干/湿）
基底
优质硅，CZ 或 FZ
表面
超平整，双面抛光
电阻率
可应要求提供
常见问题解答
这些二氧化硅晶片的标准直径是多少？
这些二氧化硅 (SiO2) 晶片的标准直径为 12 英寸（300 毫米），非常适合大批量半导体和光子器件生产。
你们提供的氧化层厚度范围是多少？
我们提供厚度从 50 到 20000 Å 的氧化层，采用热氧化法（干法和湿法）生长，以确保严格的厚度公差和优异的氧化层完整性。
有哪些基材选择和表面处理方式？
衬底由优质硅（CZ 或 FZ 生长方法）构成，具有超平坦的双面抛光表面，可支持先进的多层结构。
我可以申请自定义电阻率值吗？
是的，我们可以根据要求提供特定电阻率配置。请与我们联系，告知您的详细需求。
订单的典型发货时间是多久？
我们的标准二氧化硅晶圆通常在订单确认后的 2 至 4 周内发货。