来自中国供应商的12英寸（300毫米）热氧化硅晶片 | 高品质工厂制造
核心亮点
具有优异氧化层完整性的大直径二氧化硅晶片。
非常适合大批量半导体和光子器件生产。
厚度公差严格，表面极其光滑。
适用于先进多层结构的可靠二氧化硅晶圆。
通常在 2-4 周内发货。
技术规格
直径
12英寸（300毫米）
氧化层厚度
50–20000A
氧化物类型
热氧化（干/湿）
基底
优质硅，CZ 或 FZ
表面
超平整，双面抛光
电阻率
可应要求提供
常见问题解答
12英寸二氧化硅晶圆的交货周期是多久？
通常情况下，我们的 12 英寸二氧化硅 (SiO2) 晶圆会在 2 到 4 周内发货，具体取决于厚度和定制要求。
你们能提供多厚的氧化层？
我们提供的热氧化层厚度范围从50A到20000A。我们可以根据您的应用需求，提供干式或湿式热氧化工艺。
基板规格是什么？
衬底采用优质硅，通过直拉法 (CZ) 或浮区法 (FZ) 生长，具有超平整的双面抛光表面。
是否可以定制电阻率？
是的，我们可以根据要求提供特定的电阻率配置，以满足您精确的半导体和光子学生产需求。
这些二氧化硅晶片适用于哪些应用？
这些晶圆具有优异的氧化层完整性，使其成为大批量半导体制造、光子学生产和先进多层结构的理想选择。