来自中国供应商的12英寸（300毫米）热氧化硅晶片 - 半导体行业高品质工厂制造
核心亮点
- 具有优异氧化层完整性的大直径二氧化硅晶片。
- 非常适合大批量半导体和光子器件生产。
- 厚度公差严格，表面极其光滑。
- 适用于先进多层结构的可靠二氧化硅晶圆。
- 通常在 2-4 周内发货。
技术规格
直径
12英寸（300毫米）
氧化层厚度
50–20000A
氧化物类型
热氧化（干/湿）
基底
优质硅，CZ 或 FZ
表面
超平整，双面抛光
电阻率
可应要求提供
常见问题解答
这些二氧化硅晶片的标准直径和表面光洁度是多少？
这些二氧化硅晶片直径为 12 英寸（300 毫米），并具有超平整的双面抛光表面，以确保优质的基板质量。
你们提供哪些氧化层厚度和氧化类型？
我们提供从 50 到 20000 Å 的多种氧化层厚度选择。氧化层采用热氧化法生长，可根据您的应用需求选择干法或湿法工艺。
衬底等级和晶体生长方法是什么？
基底由优质硅构成，采用 CZ（直拉法）或 FZ（区熔法）生长，确保先进的多层结构具有优异的氧化层完整性。
我可以订购具有特定电阻率值的晶片吗？
是的，我们可以根据要求提供特定电阻率配置。请在询价时告知我们您的详细要求。
通常的生产周期和发货时间表是什么？
订单通常在 2 到 4 周内发货，非常适合大批量半导体和光子器件生产计划。