表面研磨晶圓
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表面研磨晶圓/半導體矽晶圓
2025-01-13
晶圓減薄製程主要包括以下步驟。
1. 厚度測量：研磨前後，使用精密厚度測量設備監測晶圓厚度。
2. 晶圓保護：在減薄之前，需要用藍色膠帶或紫外線膠帶保護晶圓表面或背面，以防止在減薄過程中受損或污染。
3. 晶圓研磨：在減薄過程的開始，我們首先使用粗糙的鑽石圓盤來減少晶圓的厚度。