表面研磨晶圓/半導體矽晶圓
晶圓減薄工藝
晶圓減薄製程主要包括以下步驟。
1.厚度測量： 在研磨前後，均使用精密厚度測量設備監測晶圓厚度。
2. 晶圓保護： 在減薄之前，需要用藍色膠帶或紫外線膠帶保護晶圓表面或背面，以防止在減薄過程中受到損壞或污染。
3. 晶圓研磨： 在減薄過程的開始階段，我們首先使用粗糙的鑽石圓盤來減少晶圓的厚度。
粗磨之後，我們使用精細鑽石砂輪進行二次加工。這樣做是為了控制晶圓厚度，並提高表面的平整度和光滑度。
4.清潔和檢查： 研磨後，晶圓經過徹底清洗，去除殘留物、保護膠帶等。我們檢查了每一片晶圓，確保晶圓表面沒有明顯的損傷或缺陷。
以上是晶圓減薄的基本製程。需要注意的是，不同的晶圓材料和設計要求可能會導致特定製程參數和步驟有所不同。
晶圓減薄製程流程圖
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FSM確實提供晶圓拋光解決方案。
可提供以下拋光服務：
● 晶圓直徑：25毫米（1吋）- 300毫米（12吋）
● 單面拋光 (SSP)
● 透過同時或「翻轉」拋光技術（DSP）進行雙面拋光
● 背面拋光
● 輕柔拋光 – 可去除輕微表面刮痕或瑕疵的輕度拋光。
● 對圖案化晶圓基板和/或覆蓋膜進行化學機械拋光 (CMP)
●典型產量：≥95%
晶圓拋光服務適用於全新或回收的矽晶圓基板。有關FSM晶圓回收服務解決方案的信息，請參閱本網站的「晶圓回收」部分。
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