氧化物晶片
8吋200毫米SSP/DSP模擬級矽晶圓
我們的 8 吋矽模擬晶圓為先進製程節點和 200 毫米晶圓製造提供關鍵支援。這些晶圓對於新設備認證、製程腔室恢復以及薄晶圓處理中的載體晶圓都不可或缺,在這些應用中,卓越的表面完整性和機械強度至關重要。該產品線的大部分產品,特別是針對要求最苛刻的應用,均由我們在日本的合作夥伴工廠生產和品質保證,為您帶來卓越的精度和可靠性。其出色的平整度和極低的顆粒含量使其適用於領先的 200 毫米晶圓廠和外延等敏感製程。
12吋300毫米熱氧化矽晶片
這 12吋氧化矽晶圓 代表了大直徑基板加工的最高標準。專為先進的半導體和光子學製造而設計。 熱氧化晶片 確保在 300mm 平台上實現優異的氧化層均勻性、低缺陷密度和卓越的介電可靠性。其穩定性 氧化矽基板 支援對製程控制和良率要求極高的下一代設備。交貨週期:約2至4週。
8吋200毫米SiO2二氧化矽晶片
這 8吋氧化矽晶圓 這款二氧化矽晶圓專為對薄膜品質和一致性要求極高的生產環境而設計。採用可控熱氧化工藝,確保整個晶圓表面氧化層均勻生長。它適用於CMOS、光子和MEMS集成,支援複雜的裝置層疊結構和精確的介質介面。所有晶圓均經過嚴格檢測,以確保可靠性。交貨週期:約2至4週。
6吋150毫米熱氧化矽晶片
我們的 6吋氧化矽晶圓 本產品具有卓越的薄膜均勻性和表面平整度,滿足先進製程開發的高要求。精密生長的二氧化矽晶圓提供優異的絕緣性和化學穩定性,使其成為積體電路原型製作、介電性能研究和奈米加工的理想選擇。每片晶圓均在嚴格的品質控制下生產,確保性能可靠且氧化品質一致。通常在 2-4 週內發貨。
4吋二氧化矽晶圓 100毫米二氧化矽晶圓
這 4吋氧化矽晶片 這款晶圓是科研實驗室和小規模半導體生產的理想選擇。它採用高品質的熱氧化工藝生長出均勻的二氧化矽層,具有卓越的表面光滑度和電絕緣性能。我們的熱氧化晶圓適用於裝置原型製作、微機電系統(MEMS)製造和光學實驗,可確保高純度和可重複的結果。交貨週期:約 2 至 4 週。
高品質 300mm 200mm 8-12吋氧化物晶片 矽晶片
產品介紹:
FSM可提供8吋至12吋各種尺寸的氧化物晶片,我們擁有自己的工廠,確保產品品質穩定,交貨時間可控。此外,我們還配備各種測試設備,可依需求提供參數測試服務。
