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產業新聞
優化深反應離子蝕刻（DRIE）縱橫比以用於下一代MEMS壓力感測器
2026-06-04
引言：先進壓力計量中的深蝕刻挑戰 微機電系統 (MEMS) 壓力感測器在汽車動力總成、航空航太高度計和工業流體網路中的應用，對結構強度提出了極高的要求…
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控制高頻矽基氮化鎵射頻前端模組中的基板串擾和插入損耗
2026-06-02
引言：高頻射頻前端的寄生效應 電信網路不斷向毫米波（mmWave）頻段擴展，為先進的 5G-Advanced 基礎設施、衛星通訊和下一代通訊提供支援…
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邊緣滾降（ERO）管理在最大化汽車功率分立元件可用晶片良率中的作用
2026-06-01
引言：汽車半導體晶圓邊緣的經濟性 汽車動力系統的快速電氣化推動了對高可靠性汽車功率分立元件（特別是絕緣柵雙極型半導體元件）前所未有的指數級需求…
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碳化矽（SiC）基板製備：用於亞埃級微粗糙度控制的先進化學機械拋光（CMP）策略
2026-05-28
引言：寬禁帶功率半導體製造的晶格挑戰 碳化矽 (SiC) 從根本上革新了電力電子領域，成為高壓、高頻、高阻功率半導體裝置的理想基板…
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消除50微米以下矽薄化過程中的亞表面損傷（SSD）以用於3D異質集成
2026-05-27
引言：3D矽堆疊的機械脆弱性 人工智慧（AI）加速器、高效能運算（HPC）架構和緊湊型行動晶片組對高密度運算的持續追求，使得3D異構矽堆疊技術面臨嚴峻的挑戰…
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確保MEMS汽車感測器製造中氧化層厚度一致性：熱法與PECVD薄膜對比
2026-05-26
引言：汽車微機電系統製造的嚴峻現實 汽車微機電系統（MEMS）－包括體微機械加速度計、陀螺儀、歧管絕對壓力（MAP）感測器和高頻射頻開關等－面臨嚴峻的製造挑戰。
看詳情 高壓SiC MOSFET閘極介質和鈍化層的熱氧化層均勻性要求
2026-05-25
引言：下一代電力電子裝置的可靠性瓶頸 向 800V 電動車 (EV) 動力系統、兆瓦級太陽能逆變器和高壓固態斷路器的系統性轉變，使得碳化矽 (SCD) 成為電力電子裝置的瓶頸…
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利用超平坦高純度矽載體基板優化GAA架構的多層微影技術
2026-05-25
引言：GAA時代的微影挑戰 從FinFET到環柵（GAA）奈米片結構的轉變，代表了2nm以下半導體製造領域最根本的典範轉移之一。透過將柵電極包裹在奈米片上…
看詳情 HBM4堆疊中晶圓翹曲的管理：載體TTV與薄膜機械應力的相互作用
2026-05-21
引言：HBM4的垂直擴展危機 對人工智慧（AI）叢集、高效能運算（HPC）和下一代圖形處理器（GPU）的持續需求，已將高頻寬記憶體（HBM）推向了一個新的領域…
看詳情 先進節點試驗線優質晶圓回收中的金屬污染控制（＜1E10 原子/cm²）
2026-05-20
引言：先進節點研發中的污染屏障 在開發7奈米以下和5奈米以下邏輯和記憶體架構的先進半導體中試生產線中，與製程認證、工具匹配和光刻基礎相關的材料成本…
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