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產業新聞
利用超低電阻率基板消除高頻MEMS諧振器中的寄生電容
2026-06-11
引言：射頻和高頻MEMS中的寄生損耗難題 隨著5G高頻段、下一代6G通訊架構和高解析度雷達系統的快速擴展，微機電系統（MEMS）諧振電路…
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平衡成本與精準度：利用結構監測基材進行CMP漿料與拋光墊壽命校準
2026-06-10
引言：奈米級平面化的經濟壓力 在先進半導體製造中，化學機械平面化 (CMP) 已從基本的形貌校正步驟發展成為多層微縮的關鍵使能技術。
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在矽光子共封裝光學元件（CPO）平台上實現亞奈米波導相位相干性
2026-06-09
引言：下一代資料中心互連的擴展極限 人工智慧叢集、高效能運算節點和雲端資料中心的指數級增長，已將傳統的可插拔光收發器推向了極限…
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減輕高劑量離子注入先進邏輯節點過程中金屬污染和顆粒缺陷
2026-06-08
引言：7nm及以下製程的純度需求 隨著半導體產業朝向7nm、5nm乃至3nm以下邏輯節點發展，電晶體對不可見缺陷的敏感度已達到關鍵的轉折點。在這些先進的架構中…
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克服超高壓矽晶閘管和功率整流器中的散熱瓶頸
2026-06-05
引言：兆瓦級電力電子元件的熱特性 高壓直流 (HVDC) 電網和重型工業馬達驅動的電力傳輸需要能夠阻斷超過…電壓的功率半導體開關。
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晶格取向對光學CMOS感測器蝕刻各向異性和量子效率的關鍵影響
2026-06-04
引言：下一代成像陣列的幾何物理學 現代互補金屬氧化物半導體（CMOS）圖像感測器（CIS）的性能追蹤——為自動駕駛汽車雷射雷達陣列、高解析度醫用內視鏡等應用提供支援…
看詳情 優化深反應離子蝕刻（DRIE）縱橫比以用於下一代MEMS壓力感測器
2026-06-04
引言：先進壓力計量中的深蝕刻挑戰 微機電系統 (MEMS) 壓力感測器在汽車動力總成、航空航太高度計和工業流體網路中的應用，對結構強度提出了極高的要求…
看詳情 控制高頻矽基氮化鎵射頻前端模組中的基板串擾和插入損耗
2026-06-02
引言：高頻射頻前端的寄生效應 電信網路不斷向毫米波（mmWave）頻段擴展，為先進的 5G-Advanced 基礎設施、衛星通訊和下一代通訊提供支援…
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邊緣滾降（ERO）管理在最大化汽車功率分立元件可用晶片良率中的作用
2026-06-01
引言：汽車半導體晶圓邊緣的經濟性 汽車動力系統的快速電氣化推動了對高可靠性汽車功率分立元件（特別是絕緣柵雙極型半導體元件）前所未有的指數級需求…
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碳化矽（SiC）基板製備：用於亞埃級微粗糙度控制的先進化學機械拋光（CMP）策略
2026-05-28
引言：寬禁帶功率半導體製造的晶格挑戰 碳化矽 (SiC) 從根本上革新了電力電子領域，成為高壓、高頻、高阻功率半導體裝置的理想基板…
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