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產業新聞
抑制高溫化學氣相沉積外延環的熱梯度滑移和晶格位錯
2026-07-13
引言：先進外延製程中的晶體學閾值 在先進的分離式功率電子元件、射頻 (RF) 通訊晶片和尖端邏輯半導體製造中，透過高解析度外延製程沉積單晶層…
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減輕先進光刻製程中介質膜應力引起的焦平面偏差和奈米級套刻畸變
2026-07-10
引言：7nm以下圖形化製程的機械瓶頸 隨著半導體產業朝向7nm以下和5nm以下節點深入發展，圖形放置誤差的容差已縮小至個位數奈米。在先進的深紫外線浸沒式製程中…
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高密度等離子體腔室預處理過程中粒子捕獲效率和氣相缺陷抑制的最佳化
2026-07-09
引言：高密度等離子體製程的微污染風險 在先進的7奈米以下和5奈米以下半導體製造製程中，抑制前端製程（FEOL）和後端製程（BEOL）製程中的奈米級缺陷至關重要…
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分析DUV/EUV光刻軌道中介質膜應力引起的焦平面偏差和奈米級對準畸變
2026-07-07
引言：薄膜引起的機械畸變對光刻製程的挑戰 在先進的7奈米以下和5奈米以下半導體製造節點中，圖案放置誤差的容差已縮小至單奈米尺度。隨著深紫外線（DU...）技術的發展，光刻工藝面臨的挑戰日益嚴峻。
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抑制高溫垂直擴散和外延生長爐中的熱梯度滑移線和微孔成核
2026-07-06
引言：高溫熱處理的熱機械應力 在先進的前端半導體製造過程中，垂直批式爐和單晶圓外延反應器仍然是高溫操作不可或缺的設備…
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降低高頻射頻和矽基氮化鎵裝置整合中的界面寄生電容和基板串擾
2026-07-03
引言：高頻異構整合的電磁障礙 在快速發展的5G Advanced、衛星通訊和高頻電力電子領域，氮化鎵矽基（GaN-on-Si）技術已嶄露頭角…
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表徵奈米級化學機械拋光環中的漿料磨損均勻性和亞表面微划痕缺陷
2026-07-02
引言：先進7奈米以下半導體製造節點中平面化的摩擦學挑戰 化學機械平面化（CMP）已從一種標準的表面整平技術發展成為複雜3D架構整合的主要驅動力…
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評估反應離子蝕刻室預處理過程中等離子體鞘層不對稱性和關鍵尺寸臨界邊緣排斥
2026-07-01
引言：邊緣區蝕刻動力學的關鍵平衡 在先進的7nm以下和5nm以下半導體製造節點中，在300mm晶圓的整個半徑範圍內實現嚴格的關鍵尺寸（CD）均勻性是製程面臨的主要挑戰…
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防止超薄基板背面研磨和金屬化過程中晶格斷裂和晶體滑移
2026-06-30
引言：極薄製程帶來的機械脆弱性 在製造高密度先進封裝、3D堆疊積體電路（IC）和功率半導體時，減少單晶矽基板的厚度至關重要…
看詳情 穩定化學氣相沉積設備認證中的射頻等離子體阻抗和流體動力學特性
2026-06-29
引言：先進介電均勻性的動態特性 在高頻半導體製造中，特別是在射頻 (RF) 功率元件、矽上氮化鎵 (GaN) 微結構和高頻通訊濾波器等領域，化學…
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