8吋200毫米SiO2二氧化矽晶片

核心亮點

· 200mm SiO2 晶片上均勻氧化。
· 針對CMOS和光子元件製造進行了最佳化。
· 缺陷密度低，絕緣性能高。
· 用於多層製程的穩定氧化矽基板。
· 通常在 2-4 週內出貨。

技術規格
直徑：8 英吋（200 毫米）
氧化層厚度：50–20000A
·氧化物類型：乾/濕熱氧化物
· 基板：優質矽
·表面處理：雙面拋光（DSP）可選
電阻率：依訂單規定提供