6吋150毫米熱氧化矽晶片

核心亮點

· 用於先進製程應用的精密生長熱氧化晶片。
· 優異的機械強度和氧化物附著力。
· 顆粒污染和表面粗糙度低。
· 適用於積體電路、微機電系統及感測器製造。
· 交貨週期：約 2 至 4 週。

技術規格
直徑：6吋（150毫米）
氧化層厚度：50–20000A
· 氧化物種類：乾式或濕式熱氧化
· 基板：優質或測試級矽晶圓
·表面處理：鏡面拋光，單面或雙面
電阻率：可定制