12吋300毫米熱氧化矽晶片

核心亮點

· 具有優異氧化層完整性的大直徑SiO2晶片。
· 非常適合大批量半導體和光子裝置生產。
· 厚度公差嚴格，表面極為光滑。
· 適用於先進多層結構的可靠二氧化矽晶圓。
· 通常在 2-4 週內出貨。

技術規格
直徑：12 吋（300 公釐）
氧化層厚度：50–20000A
· 氧化物種類：熱氧化（乾/濕）
·基板：優質矽，CZ 或 FZ
表面：超平整，雙面拋光
電阻率：可按需提供