Кремниевые пластины, также известные как пластины из диоксида кремния, являются неотъемлемым компонентом полупроводниковой промышленности и находят широкое применение в различных технологических областях. Их уникальные свойства делают их незаменимыми для широкого спектра применений, от микроэлектроники до оптики. В этой статье подробно рассматриваются области применения кремниевых пластин, подчеркивается их важность в современных технологиях.

Окисленные кремниевые пластины изготавливаются с использованием технологии термического окисления. В трубчатой ​​печи атмосферного давления при высокой температуре (800℃~1150℃) на поверхности кремниевых пластин выращиваются тонкие пленки диоксида кремния с использованием кислорода или водяного пара. Толщина пленок варьируется от 50 нанометров до 2 микрон, температура процесса достигает 1100 градусов Цельсия, а методы выращивания делятся на «влажный кислород» и «сухой кислород». Термически выращенный оксидный слой представляет собой «выращенный» оксидный слой. По сравнению с оксидным слоем, осажденным методом CVD, он обладает большей однородностью, лучшей плотностью и более высокой диэлектрической прочностью, а также лучшим качеством.

1. Окисление сухим кислородом
Кремний реагирует с кислородом, и слой оксида продолжает перемещаться к подложке. Сухое окисление необходимо проводить при температуре от 850 до 1200 °C с низкой скоростью роста, и его можно использовать для выращивания МОП-транзисторов с диэлектрическим затвором. В случаях, когда требуются высококачественные, сверхтонкие слои оксида кремния, сухое окисление является предпочтительным вариантом по сравнению с влажным окислением. Оптимальная толщина слоя при сухом окислении: 15 нм ~ 300 нм.

2. Окисление влажным кислородом
Этот метод использует водяной пар, поступающий в трубку печи при высоких температурах, для образования оксидного слоя. Плотность при влажном кислородном окислении несколько ниже, чем при сухом кислородном окислении, но по сравнению с сухим кислородным окислением его преимуществом является более высокая скорость роста и пригодность для выращивания тонких пленок толщиной более 500 нм. Диапазон применения влажного окисления: 500 нм ~ 2 мкм.