Pastilha de óxido
Wafer de silício de grau fictício SSP/DSP de 8 polegadas (200 mm)
Nossos wafers de silício de 8 polegadas oferecem suporte essencial para nós de processo avançados e fabricação de 200 mm. Esses wafers são indispensáveis para a qualificação de novos equipamentos, recuperação de câmaras de processo e como wafers de suporte no manuseio de wafers finos, onde a integridade superficial e a resistência mecânica superiores são fundamentais. Uma parte substancial desta linha de produtos, especialmente para as aplicações mais exigentes, é fabricada e tem sua qualidade assegurada em nossa unidade parceira no Japão, garantindo precisão e confiabilidade reconhecidas. Sua planicidade excepcional e baixos níveis de partículas os tornam adequados para fábricas de 200 mm de última geração e processos sensíveis como epitaxia.
Wafer de silício com óxido térmico de 12 polegadas (300 mm)
O Wafer de óxido de silício de 12 polegadas Representa o mais alto padrão para processamento de substratos de grande diâmetro. Projetado para a fabricação avançada de semicondutores e fotônica, este Pastilha de óxido térmico Garante excelente uniformidade de óxido, baixa densidade de defeitos e confiabilidade dielétrica superior em uma plataforma de 300 mm. Sua estabilidade Substrato de silício oxidado Compatível com dispositivos de última geração que exigem controle rigoroso de processos e alto rendimento. Prazo de entrega: aproximadamente de 2 a 4 semanas.
Wafer de óxido de silício SiO2 de 8 polegadas (200 mm)
O Wafer de óxido de silício de 8 polegadas É projetado para ambientes de produção que exigem qualidade e consistência superiores da película. Utilizando um processo controlado de oxidação térmica, este wafer de dióxido de silício proporciona um crescimento uniforme de óxido em toda a superfície do wafer. Ideal para integração CMOS, fotônica e MEMS, ele suporta camadas complexas de dispositivos e interfaces dielétricas precisas. Todos os wafers passam por inspeções rigorosas para garantir a confiabilidade. Prazo de entrega: aproximadamente de 2 a 4 semanas.
Wafer de silício com óxido térmico de 6 polegadas (150 mm)
Nosso Wafer de óxido de silício de 6 polegadas Proporciona uniformidade de filme e planicidade de superfície superiores, atendendo aos exigentes requisitos do desenvolvimento de processos avançados. O wafer de SiO₂ cultivado com precisão oferece excelente isolamento e estabilidade química, tornando-o ideal para prototipagem de circuitos integrados, estudos dielétricos e nanofabricação. Fabricado sob rigoroso controle de qualidade, cada wafer garante desempenho confiável e qualidade de oxidação consistente. Geralmente enviado em 2 a 4 semanas.
Wafer de SiO2 de 4 polegadas (100 mm)
O Wafer de óxido de silício de 4 polegadas É a escolha ideal para laboratórios de pesquisa e produção de semicondutores em pequena escala. Com uma camada uniforme de SiO₂ cultivada por meio de um processo de oxidação térmica de alta qualidade, este wafer oferece excepcional suavidade de superfície e isolamento elétrico. Adequado para prototipagem de dispositivos, fabricação de MEMS e experimentos ópticos, nosso Wafer de Óxido Térmico garante alta pureza e resultados reproduzíveis. Prazo de entrega: aproximadamente 2 a 4 semanas.
Seleção de wafers de silício de óxido de alta qualidade, 300 mm, 200 mm e 8 a 12 polegadas.
Apresentação do produto:
A FSM pode fornecer wafers de óxido em vários tamanhos, de 8 a 12 polegadas, com fábrica própria para garantir qualidade estável e prazos de entrega controláveis. Também possuímos diversos equipamentos de teste para fornecer serviços de análise de parâmetros, conforme necessário.