Lombard

English Chinese Simplified Chinese Traditional French German Portuguese Spanish Russian Japanese Korean Arabic Irish Greek Turkish Italian Danish Romanian Indonesian Czech Afrikaans Swedish Polish Basque Catalan Esperanto Hindi Lao Albanian Amharic Armenian Azerbaijani Belarusian Bengali Bosnian Bulgarian Cebuano Chichewa Corsican Croatian Dutch Estonian Filipino Finnish Frisian Galician Georgian Gujarati Haitian Hausa Hawaiian Hebrew Hmong Hungarian Icelandic Igbo Javanese Kannada Kazakh Khmer Kurdish Kyrgyz Latin Latvian Lithuanian Luxembou.. Macedonian Malagasy Malay Malayalam Maltese Maori Marathi Mongolian Burmese Nepali Norwegian Pashto Persian Punjabi Serbian Sesotho Sinhala Slovak Slovenian Somali Samoan Scots Gaelic Shona Sindhi Sundanese Swahili Tajik Tamil Telugu Thai Ukrainian Urdu Uzbek Vietnamese Welsh Xhosa Yiddish Yoruba Zulu Kinyarwanda Tatar Oriya Turkmen Uyghur Abkhaz Acehnese Acholi Alur Assamese Awadish Aymara Balinese Bambara Bashkir Batak Karo Bataximau Longong Batak Toba Pemba Betawi Bhojpuri Bicol Breton Buryat Cantonese Chuvash Crimean Tatar Sewing Divi Dogra Doumbe Dzongkha Ewe Fijian Fula Ga Ganda (Luganda) Guarani Hakachin Hiligaynon Hunsrück Iloko Pampanga Kiga Kituba Konkani Kryo Kurdish (Sorani) Latgale Ligurian Limburgish Lingala Lombard Luo Maithili Makassar Malay (Jawi) Steppe Mari Meitei (Manipuri) Minan Mizo Ndebele (Southern) Nepali (Newari) Northern Sotho (Sepéti) Nuer Occitan Oromo Pangasinan Papiamento Punjabi (Shamuki) Quechua Romani Rundi Blood Sanskrit Seychellois Creole Shan Sicilian Silesian Swati Tetum Tigrinya Tsonga Tswana Twi (Akan) Yucatec Maya

indajin

Leave Your Message

Wafer de silicio finta

Pruva wafer de silicio

Wafer de silicio prim

Serie de prudot

tuts

Wafer de silicio DSP de 12 pollici 300 mm

pollici 300 mm DSP silicio manichino ...

Wafer de silicio finta SSP/DSP de 200 mm de 8 pollici

pollici 200 mm SSP / DSP Mannequin di silicio...

Wafer manichin in silicio SSP de 6 pollici 150 mm

Wafer manichin in silicio SSP de 6 pollici 150 mm

Wafer manichin in silicio SSP de 4 pollici 100 mm

Wafer manichin in silicio SSP de 4 pollici 100 mm

Wafer de silicio a ossido termico da 12 pollici da 300 mm

Wafer de silicio a ossido termico da 12 pollici da 300 mm

Wafer de ossido di silicio SiO2 da 8 pollici 200 mm

Wafer de ossido di silicio SiO2 da 8 pollici 200 mm

Wafer de silicio a ossido termico da 6 pollici 150 mm

Wafer de silicio a ossido termico da 6 pollici 150 mm

Wafer de SiO2 de 4 pollici Wafer de ossido de silicio da 100 mm

Wafer SiO2 da 4 pollici 100 mm ossido di silicio ...

FSM A proposit del silicio fin

Produziun de silicio fin (shanghai) Ltd.

La produziun de silicio fin (Shanghai) Ltd. (FSM) l’è stada fundada in del 2008 e g’ha sede a Shanghai che se truva in de la zòna de liber scambi de Waigaoqiao. stabilida a Tokyo.A l’ora d’incœu, el grupp FSM g’ha dü impiant a Shanghai e en Giapon, cunt una capacità de lavuraziun mensil de 120.000 pz de wafer de silicio de 12 pollici.

1000

+

Client global
34000
M2

de bas de produziun

demo165-incirca

video-bg

GFINE

vantaj

Condiziun geografich e trasport cunvenient en tüt el mund.

Bas de fabrica

2 bas de produziun in del mund (Shanghai, Tokyo)

jxjf-vantagg-2

Consegna rapida

jxjf-vantagg-3

Personalizaziun

Fornim servizi su misura

I noster client (5)

Squadra prufesiunal

Fundada in del 2008, el noster team g’ha püsee de 16 an d’esperienza

jxjf-vantagg-5

Dopu la vendita

Senza preoccupaziun dopu la vendita

TUTS

prodot
Aplicazion

1Wafer de nitruro de silicio

Wafer de veder

I wafer de veder sun di lami de veder redond trasfurmà cun materiai de veder. Sun de solet fatt de diferent tip de veder, quartz, veder senza alcal e materiai cumpost veder-silicio e sun duperà in del industria di semicondutur e de la microeletronica. I wafer de veder g’han una volta resistenza chimich e una stabilità termich, una basa rugosità superficial, una volta trasmitanza, ecc. Chesti carateristich i renden tant duperà.

Wafer de nitruro de silicio

I wafer de nitruro de silicio (Si3N4) sun un material fundamental en una varietà de aplicaziun alt-tecnologich per i luur proprietà ünich. Chesti wafer sun duperà principalment in del industria di semicondutur, ma luur aplicaziun van olter, e i renden una scernida versatil per tanti prugress tecnologich.

3Wafer de nitruro de silicio

Wafer de ossido de silicio

I wafer de ossido de silicio, famus anca cuma wafer de anidrid de silicio, sun un cumpunent integral del industria di semicondutur e de una varietà de aplicaziun tecnologich. I luur proprietà ünich i renden fundamentai per una vasta gama de üs, de la microeletronich a l’otega. Chestu articul dà un sguard prufund ai aplicaziun di wafer de ossido de silicio, sottalineand luur impurtanza in de la tecnologia muderna.

Wafer de nitruro de silicio3

Wafer de silicio

Una wafer l’è un circuito de silicio rudùunt e l’è anca el purtatur duperà per produr circuiti integrà. Pœu vèss trasfurmà en prudut de circuiti integrà cun vari strutur de compunent de circuiti e funziun eletrich specifich.

Soluzion prodot

Condiziun geografich e trasport cunvenient en tüt el mund.

WAFER MANIQUIN DE 12 POLLICI

Wafer manichin al silicio

Vedi püsee detai

Wafer de test al silicio

Wafer de test al silicio

Cavi de cullegament interni automobilistici DIN, AS,JIS,GB

Vedi püsee detai

Wafer prima de silicio

Wafer prima de silicio

Cavo de alimentaziun

Vedi püsee detai

Wafer de ossido

Wafer de ossido

Cavo duperà in del inverter solor

Vedi püsee detai

ültim nutizi

Tutt i notizi

Cuntrol TTV sub-micron e nanotopografia en wafer de silicio levigà a doppi lati (DSP) per un ligam dirett a wafer

data: agost11,2026

TTV sub-micron e nanotopo...

Cuma i wafer de silicio de qualità test e finta redusen el CapEx de la R&S in de la calibraziun de la linea de bas de l’attressament

data: agost07,2026

Come Test & Grado Mannequin Sili...

Orientament de cristal de silicio ( vs. vs. ): impatt süi profil de acquaforte umid in de la fabricaziun MEMS

data: agost06,2026

Orientament de cristal de silicio...

Uniformità del spessur del ossido termich (SiO2) e ripartiziun dieletrich in di test del ossido de gate

data: agost05,2026

Ossido termico (SiO2) spessore...

Substrat epitassial cuntra wafer CZ en massa per CI a volta tensiun: prestaziun, densità di difett e otimizaziun de la tensiun de guasto

data: agost04,2026

Substrati epitassiai vs. Bu...

Wafer levigà a un lato vs. a doppi lati (SSP vs. DSP) Rugosità de la superfiss, metrich di difett e abbinament di aplicaziun

data: agost03,2026

Lato Singol vs. Doppi Lato...