Ligurian

English Chinese Simplified Chinese Traditional French German Portuguese Spanish Russian Japanese Korean Arabic Irish Greek Turkish Italian Danish Romanian Indonesian Czech Afrikaans Swedish Polish Basque Catalan Esperanto Hindi Lao Albanian Amharic Armenian Azerbaijani Belarusian Bengali Bosnian Bulgarian Cebuano Chichewa Corsican Croatian Dutch Estonian Filipino Finnish Frisian Galician Georgian Gujarati Haitian Hausa Hawaiian Hebrew Hmong Hungarian Icelandic Igbo Javanese Kannada Kazakh Khmer Kurdish Kyrgyz Latin Latvian Lithuanian Luxembou.. Macedonian Malagasy Malay Malayalam Maltese Maori Marathi Mongolian Burmese Nepali Norwegian Pashto Persian Punjabi Serbian Sesotho Sinhala Slovak Slovenian Somali Samoan Scots Gaelic Shona Sindhi Sundanese Swahili Tajik Tamil Telugu Thai Ukrainian Urdu Uzbek Vietnamese Welsh Xhosa Yiddish Yoruba Zulu Kinyarwanda Tatar Oriya Turkmen Uyghur Abkhaz Acehnese Acholi Alur Assamese Awadish Aymara Balinese Bambara Bashkir Batak Karo Bataximau Longong Batak Toba Pemba Betawi Bhojpuri Bicol Breton Buryat Cantonese Chuvash Crimean Tatar Sewing Divi Dogra Doumbe Dzongkha Ewe Fijian Fula Ga Ganda (Luganda) Guarani Hakachin Hiligaynon Hunsrück Iloko Pampanga Kiga Kituba Konkani Kryo Kurdish (Sorani) Latgale Ligurian Limburgish Lingala Lombard Luo Maithili Makassar Malay (Jawi) Steppe Mari Meitei (Manipuri) Minan Mizo Ndebele (Southern) Nepali (Newari) Northern Sotho (Sepéti) Nuer Occitan Oromo Pangasinan Papiamento Punjabi (Shamuki) Quechua Romani Rundi Blood Sanskrit Seychellois Creole Shan Sicilian Silesian Swati Tetum Tigrinya Tsonga Tswana Twi (Akan) Yucatec Maya

sondaggio

Leave Your Message

Wafer de siliçio mannequin

Testa wafer de siliçio

Wafer de siliçio primmo

Serie de produti

tutti

Wafer de siliçio de graddo mannequin DSP de 12 pollici de 300 mm

Siliçio de graddo mannequin DSP de 12 pollici 300 mm ...

Wafer de siliçio de 8 pollici de 200 mm SSP/DSP de qualitæ mannequin

pollici 200mm SSP/DSP mannequin de qualitæ silica...

Wafer mannequin de siliçio SSP de 6 pollici de 150 mm

Wafer mannequin de siliçio SSP de 6 pollici de 150 mm

Wafer mannequin de siliçio SSP de 4 pollici de 100 mm

Wafer mannequin de siliçio SSP de 4 pollici de 100 mm

Wafer de siliçio à òscido termico de 12 pollici 300 mm

Wafer de siliçio à òscido termico de 12 pollici 300 mm

Wafer à òscido de siliçio de SiO2 da 8 pollici 200 mm

Wafer à òscido de siliçio de SiO2 da 8 pollici 200 mm

Wafer de siliçio à òscido termico de 6 pollici de 150 mm

Wafer de siliçio à òscido termico de 6 pollici de 150 mm

Wafer de SiO2 da 4 pollici Wafer à òscido de siliçio da 100 mm

Wafer de SiO2 da 4 pollici Òscido de siliçio da 100 mm ...

FSM À propòxito do siliçio fin

Produçion de siliçio fin (shanghai) Ltd.

A produçion de siliçio fin (Shanghai) Ltd. (FSM) a l'é stæta fondâ do 2008 e a l'à o seu quartê geneâ à Shanghai ch'o l'é collocou inta zöna de libero scangio de Waigaoqiao. stabilio à Tokyo.A-o momento, o FSM Group o l'à doî stabilimenti à Shanghai e o Giappon, con unna capaçitæ de travaggio pe mensuâ de 120.000pcs de wafer de siliçio de 12 pollici.

1000

+

Clienti globali
34000
M2

de base de produçion

demo165-in sce

video-bg

GFINE

avvantaggio

Condiçioin geografiche e traspòrto conveniente pe tutto o mondo.

Base de fabrica

2 base de produçion into mondo (Shanghai, Tokyo)

jxjf-avvantaggio-2.

Consegna spedia

jxjf-avvantaggio-3.

Personalizzaçion

Fornimmo di serviçi in sce mesua

I nòstri Clienti (5)

Squadra profescionale

Fondou do 2008, a nòstra squaddra a l'à ciù de 16 anni d'esperiensa

jxjf-avvantaggio-5.

Dòppo a vendita

Sensa preoccupaçion dòppo a vendita

TUTTI

produto
Applicaçion

1Wafer de nitruro de siliçio

Wafer de veddro

E wafer de veddro en di feuggi de veddro riondi travaggiæ da di mateiæ de veddro. Pe-o sòlito en fæti de diverse qualitæ de veddro, quarzo, veddro sensa alcali e materiali compòxiti veddro-siliçio e vëgnan deuviæ inte l’industria di semiconduttoî e da microelettrònica. E wafer de veddro an unn’erta rescistensa chimica e stabilitæ termica, unna bassa rugositæ de superfiçie, unn’erta trasmittansa, etc. Ste caratteristiche ê rendan largamente deuviæ.

jxjf-caso-de ciù

Wafer de veddro

Wafer de nitruro de siliçio

E wafer de nitruro de siliçio (Si3N4) en un materiale ciave inte unna gran quantitæ d’applicaçioin high-tech apreuvo a-e seu propietæ uniche. Ste wafer en deuviæ pe-o ciù inte l’industria di semiconduttoî, ma e seu applicaçioin van ben ben a-o de là de quello, e î rendan unna çernia versatile pe tanti progresci tecnològichi.

jxjf-caso-de ciù

3Wafer de nitruro de siliçio

Wafer d'òscido de siliçio

E wafer d’òscido de siliçio, conosciue ascì comme wafer d’òscido de siliçio, en unna componente fondamentale inte l’industria di semiconduttoî e inte unna gran quantitæ d’applicaçioin tecnològiche. E seu propietæ uniche ê rendan essençiæ pe unna larga gamma d’uxi, da-a microelettrònica à l’òttica. Sto articolo o l’examina approfondia e applicaçioin de wafer d’òscido de siliçio, e o l’evidençia a seu importansa inta tecnologia moderna.

jxjf-caso-de ciù

Wafer de nitruro de siliçio3.

Wafer de siliçio

Un wafer o l’é un chip riondo de siliçio e o l’é ascì o portâ deuviou pe produe di circuiti integræ. O peu vegnî processou inte di produti de çircuito intregou con diverse struttue de componente de çircuito e de fonçioin elettriche speçifiche.

jxjf-caso-de ciù

Soluçion produto

Condiçioin geografiche e traspòrto conveniente pe tutto o mondo.

WAFER MANINICIN DE 12 POLLICI

Wafer mannequin de siliçio

Vedi ciù dettaggi

Wafer de prova de siliçio

Wafer de prova de siliçio

Fî de connescion interni automobilistici de DIN, AS,JIS,GB

Vedi ciù dettaggi

Wafer de siliçio Prime

Wafer de siliçio Prime

Cavo d'alimentaçion

Vedi ciù dettaggi

Wafer d'òscido

Wafer d'òscido

Cavo deuviou inte l'inverter solor

Vedi ciù dettaggi

urtime novitæ

Tutte e Novitæ

Controllo de TTV e nanotopografia sub-micron inte wafer de siliçio lucidæ à doî loei (DSP) pe-o ligamme diretto de wafer

dæta: agosto11,2026

TTV sub-micron e nanòtopo...

Comme e wafer de siliçio de qualitæ test e mannequin reduxan o CapEx pe-a R&S inta taratua de linia de base de l’apparecchiaçion

dæta: agosto07,2026

Comme Test & Grado Mannequin Sili...

Orientamento de cristalli de siliçio ( vs. vs. ): impatto in scî profili d’attacco umido inta fabricaçion de MEMS

dæta: agosto06,2026

Orientamento de cristalli de siliçio...

Uniformitæ de spessore de l’òscido termico (SiO2) e rottua dielettrica inti test in sce l’òscido de portâ

dæta: agosto05,2026

Òscido termico (SiO2) Spesso...

Substrati epitasciali vs. wafer CZ à massa pe CI à erta tenscion: prestaçioin, denscitæ de difetti e ottimizzaçion da tenscion de rottua

dæta: agosto04,2026

Substrati epitasciæ vs. Bu...

Rugositæ da superfiçie de wafer à unna faccia vs. doggia faccia (SSP vs. DSP) Rugositæ da superfiçie, metriche de difetti e correspondensa de applicaçioin

dæta: agosto03,2026

Lato Sencia vs. Lato Doggio...