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mba'eporandu
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Primer oblea de silicio rehegua

Serie de Productos rehegua

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12pulgadas 300mm DSP Maniquí Grado Oblea de Silicio
01. Ñe’ẽpoty

12pulgada 300mm DSP Silicio Grado Maniquí ...
8pulgadas 200mm SSP / DSP Maniquí Grado Oblea de Silicio
02. Ñe’ẽpoty ha purahéi

8 pulgadas 200mm SSP / DSP Silico Grado Silico rehegua...
6pulgadas 150mm SSP Silicio Maniquí Oblea
03. Ñe’ẽpoty

6pulgadas 150mm SSP Silicio Maniquí Oblea
4pulgadas 100mm SSP Silicio Maniquí Oblea
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4pulgadas 100mm SSP Silicio Maniquí Oblea
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12pulgadas 300mm Oblea de Silicio Óxido Térmico rehegua
8pulgadas 200mm SiO2 Oblea Óxido de Silicio rehegua
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8pulgadas 200mm SiO2 Oblea Óxido de Silicio rehegua
6pulgadas 150mm Oblea de Silicio Óxido Térmico rehegua
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4pulgadas SiO2 Oblea 100mm Óxido de Silicio ...

FSM rehegua Silicio Fino rehegua

Silicio Fino Fabricación(shanghai) Ltd. Ñe'ẽpoty ha ñe'ẽpoty ñemohenda.

Fine Silicon Manufacturing(shanghai) Ltd.(FSM )oñemopyenda 2008 jave ha oreko sede Shanghai-pe oîva Waigaoqiao Zona de Libre Comercio.FSM ha'e peteî empresa iñepyrûháme oñemotenondéva procesamiento ha venta oblea de silicio China.Ary 2015-pe, sucursal japonesa KOD Corporation oñemopyenda Tokio-pe.Ko'ágã, Grupo FSM oreko mokõi planta Shanghai ha Japón-pe, orekóva capacidad de procesamiento mensual 120.000pcs oblea de silicio 12pulgadas.

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  • 1000 rehegua
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GFINE rehegua

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Condición geográfica ha transporte conveniente mundo pukukue.
Base fábrica rehegua
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2 base de producción ko yvy ape ári (Shanghai, Tokio)
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Rojaha
Ñeme’ẽ Pya’e
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Personalización rehegua
Rome’ẽ servicio personalizado
Ñande Cliente-kuéra (5) .
Equipo Profesional rehegua
Oñemopyenda 2008-pe, ore equipo oreko mas de 16 años de experiencia
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Oñevende rire
Ojepy'apy'ỹre oñevende rire
OPAVAVE

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Porupyrã

1Oblea Nitruro de Silicio rehegua

Oblea de vidrio rehegua

Umi oblea de vidrio ha'e umi chapa de vidrio redonda ojejapóva umi material de vidrio-gui. Ojejapo jepi opaichagua vidrio, cuarzo, vidrio ndorekóiva álcali ha umi material compuesto vidrio-silicio-gui, ha ojepuru industria semiconductor ha microelectrónica-pe. Umi oblea de vidrio oguereko resistencia química ha estabilidad térmica yvate, rugosidad superficial michĩva, transmitancia yvate, hamba e Ko ã mba e rupive ojepuru heta.
jxjf-káso-hetave
Oblea de vidrio rehegua

Oblea Nitruro de Silicio rehegua

Umi oblea nitruro de silicio (Si3N4) ha'e peteî material clave opáichagua aplicación alta tecnología orekóva propiedad ijojaha'ÿva. Ko'ã oblea ojepuru tenonderãite industria semiconductor-pe, ha katu umi aplicación ojepyso mombyry upévagui, upévare ha'ekuéra peteĩ elección versátil heta avance tecnológico-pe g̃uarã.
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3Oblea Nitruro de Silicio rehegua

Oblea Óxido de Silicio rehegua

Umi oblea óxido de silicio rehegua, ojekuaáva avei oblea dióxido de silicio ramo, haꞌehína peteĩ componente integral industria semiconductor-pe ha opaichagua aplicación tecnológica-pe. Umi mba’e ijojaha’ỹva ojapo chuguikuéra iñimportantetereíva heta jeporurã, microelectrónica guive óptica peve. Ko artículo ojesareko pypuku umi aplicación orekóva umi oblea óxido de silicio, omomba'évo importancia orekóva tecnología moderna-pe.
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Oblea Nitruro de Silicio rehegua3

Oblea de silicio rehegua

Oblea ha'e peteĩ astilla de silicio redondo ha ha'e avei pe portador ojeporúva ojejapo hag̃ua circuito integrado. Ikatu oñemboguata producto circuito integrado rehegua oguerekóva opaichagua estructura componente circuito rehegua ha función eléctrica específica.
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Myatyrõ mba'eapopyre

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Silicio Dummy oblea rehegua

UL Alambre & Cable rehegua
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Oblea Prueba de Silicio rehegua

Oblea Prueba de Silicio rehegua

Automovilismo interno alambres de conexión de DIN, AS,JIS,GB
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Oblea Primera de Silicio rehegua

Oblea Primera de Silicio rehegua

Cable de Potencia rehegua
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Oblea óxido rehegua

Oblea óxido rehegua

Cable ojeporúva solor-pe Inversor
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Opaite Marandu
Óxido Térmico (SiO2) Espesor Uniformidad ha Descomposición Dieléctrica Prueba de Óxido de Puerta-pe
01. Ñe’ẽpoty
fecha: Agosto 1999-pe05. Ñe’ẽpoty, .2026-pe

Óxido Térmico (SiO2) Ñemby...

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Sustratos Epitaxiales vs. Oblea CZ a granel umi IC de alta tensión-pe guarã: Rendimiento, Densidad de defecto ha Optimización de tensión de rotura
02. Ñe’ẽpoty ha purahéi
fecha: Agosto 1999-pe04 rehegua, .2026-pe

Sustratos Epitaxiales vs. Bu...

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Peteĩ Lado vs Doble Lado Pulido (SSP vs. DSP) Wafers Superficie Rugosidad, Métrica Defecto ha Aplicación Ñembojoaju
03. Ñe’ẽpoty
fecha: Agosto 1999-pe03. Ñe’ẽpoty, .2026-pe

Peteĩ Lado vs. Doble Lado...

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Oblea de Silicio Ultra-Fino (
04 rehegua
fecha: Jul31. Ñe’ẽpoty ha purahéi, .2026-pe

Oblea de Silicio Ultra-Fino (

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Oblea Recocido Temperatura Alta vs. Oblea CZ Estándar: Ojepeꞌa umi Precipitado de Oxígeno umi Dispositivo de Potencia Avanzada-pe g̃uarã
05. Ñe’ẽpoty
fecha: Jul30 rehegua, .2026-pe

Alta Temperatura Recocido W...

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Envasado Oblea de Silicio ha Control de Calidad Entrada (IQC): Ojehapejoko Chipping Borde ha Contaminación Orgánica
06. Ñe’ẽpoty
fecha: Jul29. Ñe’ẽpoty ha purahéi, .2026-pe

Oblea de Silicio Envasado ha...

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