Oxid-Wafer

Unsere 8-Zoll-Silizium-Dummy-Wafer sind eine entscheidende Unterstützung für fortschrittliche Prozessknoten und die 200-mm-Fertigung. Diese Wafer sind unverzichtbar für die Qualifizierung neuer Anlagen, die Prozesskammer-Rückgewinnung und als Trägerwafer beim Dünnwafer-Handling, wo höchste Oberflächenintegrität und mechanische Festigkeit von größter Bedeutung sind. Ein wesentlicher Teil dieser Produktlinie, insbesondere für anspruchsvollste Anwendungen, wird in unserem japanischen Partnerwerk gefertigt und qualitätsgesichert, was Ihnen die bekannte Präzision und Zuverlässigkeit garantiert. Ihre außergewöhnliche Planheit und der geringe Partikelgehalt machen sie ideal für modernste 200-mm-Fertigungsanlagen und sensible Prozesse wie die Epitaxie.

Der 12-Zoll-Siliziumoxid-Wafer stellt den höchsten Standard für die Bearbeitung von Substraten mit großem Durchmesser dar. Entwickelt für die fortschrittliche Halbleiter- und Photonikfertigung, Thermischer Oxid-Wafer gewährleistet eine hervorragende Oxidgleichmäßigkeit, geringe Defektdichte und überlegene dielektrische Zuverlässigkeit auf einer 300-mm-Plattform. Seine Stabilität Oxidiertes Siliziumsubstrat Unterstützt Geräte der nächsten Generation, die eine präzise Prozesskontrolle und hohe Ausbeute erfordern. Lieferzeit: ca. 2 bis 4 Wochen.

Der 8-Zoll-Siliziumoxid-Wafer Dieses Siliziumdioxid-Wafer wurde für Produktionsumgebungen mit hohen Anforderungen an Filmqualität und -konsistenz entwickelt. Durch ein kontrolliertes thermisches Oxidationsverfahren wird ein gleichmäßiges Oxidwachstum auf der gesamten Waferoberfläche erzielt. Es eignet sich ideal für die Integration von CMOS-, Photonik- und MEMS-Bauelementen und unterstützt komplexe Schichtsysteme sowie präzise dielektrische Grenzflächen. Alle Wafer werden einer strengen Qualitätskontrolle unterzogen, um höchste Zuverlässigkeit zu gewährleisten. Lieferzeit: ca. 2 bis 4 Wochen.

Unser 6-Zoll-Siliziumoxid-Wafer Bietet überragende Filmgleichmäßigkeit und Oberflächenebenheit und erfüllt damit die hohen Anforderungen der modernen Prozessentwicklung. Der präzise gewachsene SiO₂-Wafer zeichnet sich durch exzellente Isolation und chemische Stabilität aus und eignet sich daher ideal für die Entwicklung von Prototypen integrierter Schaltungen, dielektrische Untersuchungen und die Nanofabrikation. Jeder Wafer wird unter strenger Qualitätskontrolle gefertigt und gewährleistet so zuverlässige Leistung und gleichbleibende Oxidationsqualität. Die Lieferzeit beträgt in der Regel 2–4 Wochen.

Der 4-Zoll-Siliziumoxid-Wafer Dieser Wafer ist die ideale Wahl für Forschungslabore und die Halbleiterfertigung im Kleinmaßstab. Dank einer gleichmäßigen SiO₂-Schicht, die durch ein hochwertiges thermisches Oxidationsverfahren erzeugt wird, bietet er eine außergewöhnliche Oberflächenglätte und elektrische Isolation. Er eignet sich für die Prototypenentwicklung, die MEMS-Fertigung und optische Experimente und gewährleistet hohe Reinheit und reproduzierbare Ergebnisse. Lieferzeit: ca. 2 bis 4 Wochen.

Produkteinführung:

FSM bietet Oxid-Wafer in verschiedenen Größen von 8 bis 12 Zoll an. Dank eigener Fertigung gewährleisten wir gleichbleibende Qualität und kontrollierbare Lieferzeiten. Wir verfügen zudem über diverse Testgeräte und bieten bei Bedarf Parameterprüfungen an.