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Einleitung: Die geometrische Physik von Bildgebungsarrays der nächsten Generation. Die Leistungsverfolgung moderner komplementärer Metall-Oxid-Halbleiter (CMOS)-Bildsensoren (CIS) – die in LiDAR-Arrays autonomer Fahrzeuge, hochauflösender medizinischer Endoskopie usw. zum Einsatz kommen…

Einleitung: Die Herausforderung der Tiefenätzung in der fortschrittlichen Druckmesstechnik Der Einsatz von mikroelektromechanischen Systemen (MEMS) als Drucksensoren in Automobilantrieben, Höhenmessern der Luft- und Raumfahrt sowie industriellen Fluidnetzwerken erfordert extrem hohe strukturelle Anforderungen…

Einleitung: Die parasitären Realitäten von Hochfrequenz-HF-Frontends Die unaufhaltsame Expansion von Telekommunikationsnetzen in Millimeterwellenfrequenzen (mmWave) – die die fortschrittliche 5G-Infrastruktur, Satellitenkommunikation und die nächste Generation von HF-Netzen antreiben – …

Einleitung: Die Ökonomie des Waferrandes in der Automobil-Halbleitertechnik Die rasante Elektrifizierung von Automobilantrieben hat zu einer beispiellosen exponentiellen Nachfrage nach hochzuverlässigen diskreten Leistungshalbleitern für die Automobilindustrie geführt, insbesondere nach isolierten Gate-Bipolartransistoren (IGB)...

Einleitung: Die Gitterherausforderung bei der Herstellung von Leistungshalbleitern mit großer Bandlücke Siliziumkarbid (SiC) hat die Leistungselektroniklandschaft grundlegend revolutioniert und sich zum maßgeblichen Substrat für Hochspannung, Hochfrequenz und hohe...

Einleitung: Die mechanische Fragilität von 3D-Siliziumstapeln. Das unaufhörliche Streben nach hochdichter Datenverarbeitung in Beschleunigern für künstliche Intelligenz (KI), Hochleistungsrechnerarchitekturen (HPC) und kompakten mobilen Chipsätzen hat die 3D-Heterogenität in den Fokus gerückt…

Einleitung: Die harten Realitäten der MEMS-Fertigung im Automobilbereich Mikroelektromechanische Systeme (MEMS) für die Automobilindustrie – darunter mikrostrukturierte Beschleunigungsmesser, Gyroskope, Saugrohrdrucksensoren (MAP) und Hochfrequenz-HF-Schalter…

Einleitung: Zuverlässigkeitsengpass der Leistungselektronik der nächsten Generation. Der systemische Wandel hin zu 800-V-Antriebssträngen für Elektrofahrzeuge, Solarwechselrichtern im Megawattbereich und Hochspannungs-Halbleiterleistungsschaltern hat Siliziumkarbid etabliert ...

Einleitung: Die Herausforderung der Lithographie im GAA-Zeitalter Der Übergang von FinFET- zu Gate-All-Around (GAA)-Nanosheet-Architekturen stellt einen der radikalsten Paradigmenwechsel in der Halbleiterfertigung unter 2 nm dar. Durch das Umwickeln der Gate-Elektrode…

Einleitung: Die Krise der vertikalen Skalierung von HBM4 Die unaufhörliche Nachfrage nach KI-Clustern, Hochleistungsrechnern (HPC) und Grafikprozessoren der nächsten Generation (GPUs) hat High Bandwidth Memory (HBM) in eine neue Phase geführt…